按照中芯国际目前的自行研发进度，2021年量产7nm，这时和主流的3nm相差1代。而ASML后续能卖几台EUV还不知道，最最乐观估计，如果贸易“顺利”。2022年中芯国际拿到最先进量产3nmEUV设备，台积电、三星都拿到ASML的2nm，大陆的半导体制程与大陆外仍将保1代的差距。中芯国际2019年底量产了14nm工艺，2020年初实现改进型的12nm工艺，正在研发7nm和改进型6nm工艺。中芯国际14nm芯片工艺正式量产，极大的缓解国产芯片在制造领域的困境。对此，很多网友或许就要表示疑问了，目前中芯国际并没有相关的高端EUV光刻机设备，也能够攻克7nm芯片工艺的难题吗？其实我们回顾台积电在7nm芯片工艺的发展史，就能够看到，当前芯片工艺上有4次技术迭代，原始的工艺N，低功耗的N+1、高性能的N+2、使用EUV工艺的N+3”，前3代的7nm芯片工艺都没有使用高端EUV光刻机设备，唯独N+3使用了EUV工艺，所以对于很多小伙伴们所关心的问题，没有EUV光刻机设备，中芯国际同样也能够进入到7nm芯片工艺时代。梁孟松博士表示，在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。对此，很多网友也更是纷纷表示：“中国第二个“台积电”要诞生了。”

　　当然，中国也有自己的光刻机企业，但是由于起步晚、积累薄弱、管理混乱，多数处于依靠政府补贴的混饭状态，与国外的差距巨大。作为国内光刻设备的龙头企业，上海微电子装备(SMEE)2019年最先进的光刻设备也只能提供最高90mn的落后工艺技术，而该企业曾经混乱的管理、无为的理念实在让人堪忧。但是2020年6月10日消息称上海微电子装备(集团)股份有限公司实现第一台科技杂谈nm工艺的国产沉浸式光刻机。国产光刻机将从此前的90nm工艺一举突破到科技杂谈nm工艺。还有合肥芯硕半导体、无锡影速半导体等企业，2019年也只能提供最高200mn的超级落后工艺。目前国家也在针对光刻机领域进行重点突破，中国若能近期自主掌握科技杂谈nm技术，这是一个重要的台阶，达到这个水平后，利用后发优势必然有所突破。
　　另外，用于光刻机的固态深紫外光源也在研发，我国的光刻机研发是并行研发的。还有电子束直写光刻机，纳米压印设备，极紫外光刻机技术也在研发。对光刻胶升级，对折射液升级，并且利用套刻方法可以到14nm甚至7nm的水平。相应的升级的用的光刻胶，第3代折射液等也在相应的研发中。EUV技术方面，国内获得EUV投影光刻22nm线宽的光刻胶曝光图形。

　　从技术突破到真正的商用，到量产仍有很长的一段距离。但是，如果我们不想被卡脖子，就必须敢啃这块硬骨头。 [1] [2] [3] [4] [5]
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